- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD30N10S3L34ATMA1
دیتاشیت IPD30N10S3L34ATMA1
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|
| حجم فایل | 61.784 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA1
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 57W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1976pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.4V@29uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ@10V,30A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
